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SK海力士展示全球最高层321层NAND闪存样品-麻将胡了2
来源:麻将胡了2半导体 日期:2024-01-17
来源:证券时报e公司
证券时报e公司讯,SK海力士于当地时间 鼓励 激进美国加利福尼亚州圣克拉拉举办的“2023闪存峰会”上,公布了321层1Tb TLC 4D NAND闪存开发的进展,并展示了现阶段开发的样品。作为业界首家公布300层以上NAND具体开发进展的公司,SK海力士宣布,将进一步完善321层NAND闪存,并计划于2025年上半期开始量产。
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